Тэхнічныя характарыстыкі

• серыял
  Z-Rec®
• пакет
  Tray
• статус часткі
  Not For New Designs
• фет тыпу
  6 N-Channel (3-Phase Bridge)
• асаблівасць fet
  Silicon Carbide (SiC)
• напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
  1200V (1.2kV)
• ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
  29.5A (Tc)
• rds на (макс.) @ id, vgs
  98mOhm @ 20A, 20V
• vgs(th) (макс.) @ id
  2.2V @ 1mA (Typ)
• зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
  61.5nC @ 20V
• уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
  900pF @ 800V
• магутнасць - макс
  167W
• Працоўная тэмпература
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• тып мантажу
  Chassis Mount
• пакет / чахол
  Module
• пакет прылады пастаўшчыка
  Module