SIZ340ADT-T1-GE3

SIZ340ADT-T1-GE3

Вытворца

Vishay / Siliconix

Катэгорыя прадукту

транзістары - феты, мосфеты - масівы

Апісанне

DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    TrenchFET®
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • статус часткі
    Active
  • фет тыпу
    2 N-Channel (Dual)
  • асаблівасць fet
    Standard
  • напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
    30V
  • ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
    15.7A (Ta), 33.4A (Tc), 25.4A (Ta), 69.7A (Tc)
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    9.4mOhm @ 10A, 10V, 4.29mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    2.4V @ 250µA
  • зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
    12.2nC @ 10V, 27.9nC @ 10V
  • уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
    580pF @ 15V, 1290pF @ 15V
  • магутнасць - макс
    3.7W (Ta), 16.7W (Tc), 4.2W (Ta), 31W (Tc)
  • Працоўная тэмпература
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тып мантажу
    Surface Mount
  • пакет / чахол
    8-PowerWDFN
  • пакет прылады пастаўшчыка
    8-PowerPair® (3x3)

SIZ340ADT-T1-GE3 Запытаць прапанову

У наяўнасці 18190
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
1.16000
Мэтавая цана:
Усяго:1.16000