Тэхнічныя характарыстыкі

• серыял
  TrenchFET® Gen III
• пакет
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• статус часткі
  Active
• фет тыпу
  P-Channel
• тэхналогіі
  MOSFET (Metal Oxide)
• напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
  20 V
• ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
  15.4A (Tc)
• напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
  1.8V, 4.5V
• rds на (макс.) @ id, vgs
  14mOhm @ 9A, 4.5V
• vgs(th) (макс.) @ id
  1V @ 250µA
• зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
  99 nC @ 8 V
• vgs (макс.)
  ±8V
• уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
  3250 pF @ 10 V
• асаблівасць fet
  -
• рассейваная магутнасць (макс.)
  5W (Tc)
• Працоўная тэмпература
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• тып мантажу
  Surface Mount
• пакет прылады пастаўшчыка
  8-SOIC
• пакет / чахол
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)