RN4989FE,LF(CT

RN4989FE,LF(CT

Вытворца

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Катэгорыя прадукту

транзістары - біпалярныя (bjt) - масівы, папярэдне зрушаныя

Апісанне

NPN + PNP BRT Q1BSR47KOHM Q1BER2

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    -
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • статус часткі
    Active
  • транзістарнага тыпу
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • ток - калектар (ic) (макс.)
    100mA
  • напружанне - прабой эмітэра калектара (макс.)
    50V
  • рэзістар - база (r1)
    47kOhms
  • рэзістар - база эмітэра (r2)
    22kOhms
  • узмацненне пастаяннага току (hfe) (мін) @ ic, vce
    70 @ 10mA, 5V
  • насычэнне vce (макс.) @ ib, ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • ток - адсечка калектара (макс.)
    500nA
  • частата - пераход
    250MHz, 200MHz
  • магутнасць - макс
    100mW
  • тып мантажу
    Surface Mount
  • пакет / чахол
    SOT-563, SOT-666
  • пакет прылады пастаўшчыка
    ES6

RN4989FE,LF(CT Запытаць прапанову

У наяўнасці 42488
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
0.24000
Мэтавая цана:
Усяго:0.24000