RN1316,LF

RN1316,LF

Вытворца

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Катэгорыя прадукту

транзістары - біпалярныя (bjt) - адзінкавыя, папярэдне змешчаныя

Апісанне

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    -
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • статус часткі
    Active
  • транзістарнага тыпу
    NPN - Pre-Biased
  • ток - калектар (ic) (макс.)
    100 mA
  • напружанне - прабой эмітэра калектара (макс.)
    50 V
  • рэзістар - база (r1)
    4.7 kOhms
  • рэзістар - база эмітэра (r2)
    10 kOhms
  • узмацненне пастаяннага току (hfe) (мін) @ ic, vce
    50 @ 10mA, 5V
  • насычэнне vce (макс.) @ ib, ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • ток - адсечка калектара (макс.)
    500nA
  • частата - пераход
    250 MHz
  • магутнасць - макс
    100 mW
  • тып мантажу
    Surface Mount
  • пакет / чахол
    SC-70, SOT-323
  • пакет прылады пастаўшчыка
    USM

RN1316,LF Запытаць прапанову

У наяўнасці 48609
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
0.21000
Мэтавая цана:
Усяго:0.21000

Тэхнічны ліст

Спампаваць