CSD88539NDT

CSD88539NDT

Вытворца

Texas Instruments

Катэгорыя прадукту

транзістары - феты, мосфеты - масівы

Апісанне

MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    NexFET™
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • статус часткі
    Active
  • фет тыпу
    2 N-Channel (Dual)
  • асаблівасць fet
    Logic Level Gate
  • напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
    60V
  • ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
    15A
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    28mOhm @ 5A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    3.6V @ 250µA
  • зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
    9.4nC @ 10V
  • уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
    741pF @ 30V
  • магутнасць - макс
    2.1W
  • Працоўная тэмпература
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тып мантажу
    Surface Mount
  • пакет / чахол
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • пакет прылады пастаўшчыка
    8-SO

CSD88539NDT Запытаць прапанову

У наяўнасці 20261
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
1.03000
Мэтавая цана:
Усяго:1.03000