Тэхнічныя характарыстыкі

• серыял
  NexFET™
• пакет
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• статус часткі
  Active
• фет тыпу
  P-Channel
• тэхналогіі
  MOSFET (Metal Oxide)
• напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
  20 V
• ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
  20A (Ta)
• напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
  1.8V, 4.5V
• rds на (макс.) @ id, vgs
  23.9mOhm @ 5A, 4.5V
• vgs(th) (макс.) @ id
  1.1V @ 250µA
• зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
  4.7 nC @ 4.5 V
• vgs (макс.)
  ±8V
• уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
  655 pF @ 10 V
• асаблівасць fet
  -
• рассейваная магутнасць (макс.)
  2.9W (Ta)
• Працоўная тэмпература
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• тып мантажу
  Surface Mount
• пакет прылады пастаўшчыка
  6-WSON (2x2)
• пакет / чахол
  6-WDFN Exposed Pad