TSM60NB600CH C5G

TSM60NB600CH C5G

Вытворца

TSC (Taiwan Semiconductor)

Катэгорыя прадукту

транзістары - феты, мосфеты - адзінкавыя

Апісанне

MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO251

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    -
  • пакет
    Tube
  • статус часткі
    Active
  • фет тыпу
    N-Channel
  • тэхналогіі
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
    600 V
  • ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
    7A (Tc)
  • напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
    10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    600mOhm @ 2.1A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    4V @ 250µA
  • зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
    13 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±30V
  • уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
    516 pF @ 100 V
  • асаблівасць fet
    -
  • рассейваная магутнасць (макс.)
    63W (Tc)
  • Працоўная тэмпература
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тып мантажу
    Through Hole
  • пакет прылады пастаўшчыка
    TO-251 (IPAK)
  • пакет / чахол
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

TSM60NB600CH C5G Запытаць прапанову

У наяўнасці 31130
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
0.66225
Мэтавая цана:
Усяго:0.66225

Тэхнічны ліст