STGD6M65DF2

STGD6M65DF2

Вытворца

STMicroelectronics

Катэгорыя прадукту

транзістары - igbts - адзінкавыя

Апісанне

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    M
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • статус часткі
    Active
  • тып igbt
    Trench Field Stop
  • напружанне - прабой эмітэра калектара (макс.)
    650 V
  • ток - калектар (ic) (макс.)
    12 A
  • ток - калектар імпульсны (icm)
    24 A
  • vce(on) (макс.) @ vge, ic
    2V @ 15V, 6A
  • магутнасць - макс
    88 W
  • пераключэнне энергіі
    36µJ (on), 200µJ (off)
  • тып уводу
    Standard
  • зарад варот
    21.2 nC
  • td (укл./выкл.) пры 25°c
    15ns/90ns
  • стан выпрабаванняў
    400V, 6A, 22Ohm, 15V
  • час зваротнага аднаўлення (trr)
    140 ns
  • Працоўная тэмпература
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • тып мантажу
    Surface Mount
  • пакет / чахол
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • пакет прылады пастаўшчыка
    DPAK

STGD6M65DF2 Запытаць прапанову

У наяўнасці 18453
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
1.14000
Мэтавая цана:
Усяго:1.14000

Тэхнічны ліст