Тэхнічныя характарыстыкі

• серыял
  -
• пакет
  Tube
• статус часткі
  Active
• кіраваная канфігурацыя
  Half-Bridge
• тып канала
  Independent
• колькасць драйвераў
  2
• тып варот
  IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
• напружанне - харчаванне
  17V (Max)
• лагічнае напружанне - віл, віх
  1.1V, 1.8V
• ток - пік выхаду (крыніца, паглынальнік)
  400mA, 650mA
• тып уводу
  Inverting
• высокае бакавое напружанне - макс (загрузка)
  600 V
• час нарастання/падзення (тып)
  70ns, 40ns
• Працоўная тэмпература
  -45°C ~ 125°C (TJ)
• тып мантажу
  Surface Mount
• пакет / чахол
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• пакет прылады пастаўшчыка
  -