RGTVX6TS65GC11

RGTVX6TS65GC11

Вытворца

ROHM Semiconductor

Катэгорыя прадукту

транзістары - igbts - адзінкавыя

Апісанне

650V 80A FIELD STOP TRENCH IGBT

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    -
  • пакет
    Tube
  • статус часткі
    Active
  • тып igbt
    Trench Field Stop
  • напружанне - прабой эмітэра калектара (макс.)
    650 V
  • ток - калектар (ic) (макс.)
    144 A
  • ток - калектар імпульсны (icm)
    320 A
  • vce(on) (макс.) @ vge, ic
    1.9V @ 15V, 80A
  • магутнасць - макс
    404 W
  • пераключэнне энергіі
    2.65mJ (on), 1.8mJ (off)
  • тып уводу
    Standard
  • зарад варот
    171 nC
  • td (укл./выкл.) пры 25°c
    45ns/201ns
  • стан выпрабаванняў
    400V, 80A, 10Ohm, 15V
  • час зваротнага аднаўлення (trr)
    -
  • Працоўная тэмпература
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • тып мантажу
    Through Hole
  • пакет / чахол
    TO-247-3
  • пакет прылады пастаўшчыка
    TO-247N

RGTVX6TS65GC11 Запытаць прапанову

У наяўнасці 8487
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
6.59000
Мэтавая цана:
Усяго:6.59000

Тэхнічны ліст