EMG1T2R

EMG1T2R

Вытворца

ROHM Semiconductor

Катэгорыя прадукту

транзістары - біпалярныя (bjt) - масівы, папярэдне зрушаныя

Апісанне

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    -
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • статус часткі
    Active
  • транзістарнага тыпу
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • ток - калектар (ic) (макс.)
    100mA
  • напружанне - прабой эмітэра калектара (макс.)
    50V
  • рэзістар - база (r1)
    22kOhms
  • рэзістар - база эмітэра (r2)
    22kOhms
  • узмацненне пастаяннага току (hfe) (мін) @ ic, vce
    56 @ 5mA, 5V
  • насычэнне vce (макс.) @ ib, ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • ток - адсечка калектара (макс.)
    500nA
  • частата - пераход
    250MHz
  • магутнасць - макс
    150mW
  • тып мантажу
    Surface Mount
  • пакет / чахол
    6-SMD (5 Leads), Flat Lead
  • пакет прылады пастаўшчыка
    EMT5

EMG1T2R Запытаць прапанову

У наяўнасці 22727
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
0.46000
Мэтавая цана:
Усяго:0.46000

Тэхнічны ліст