EMF17T2R

EMF17T2R

Вытворца

ROHM Semiconductor

Катэгорыя прадукту

транзістары - біпалярныя (bjt) - масівы, папярэдне зрушаныя

Апісанне

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    -
  • пакет
    Tape & Reel (TR)
  • статус часткі
    Not For New Designs
  • транзістарнага тыпу
    1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
  • ток - калектар (ic) (макс.)
    100mA, 150mA
  • напружанне - прабой эмітэра калектара (макс.)
    50V
  • рэзістар - база (r1)
    2.2kOhms
  • рэзістар - база эмітэра (r2)
    2.2kOhms
  • узмацненне пастаяннага току (hfe) (мін) @ ic, vce
    20 @ 20mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V
  • насычэнне vce (макс.) @ ib, ic
    300mV @ 500µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
  • ток - адсечка калектара (макс.)
    500nA
  • частата - пераход
    250MHz, 140MHz
  • магутнасць - макс
    150mW
  • тып мантажу
    Surface Mount
  • пакет / чахол
    SOT-563, SOT-666
  • пакет прылады пастаўшчыка
    EMT6

EMF17T2R Запытаць прапанову

У наяўнасці 103582
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
0.09731
Мэтавая цана:
Усяго:0.09731

Тэхнічны ліст