Тэхнічныя характарыстыкі

• серыял
  -
• пакет
  Tray
• статус часткі
  Active
• фет тыпу
  2 N-Channel (Half Bridge)
• асаблівасць fet
  Silicon Carbide (SiC)
• напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
  1200V (1.2kV)
• ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
  300A (Tc)
• rds на (макс.) @ id, vgs
  -
• vgs(th) (макс.) @ id
  4V @ 68mA
• зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
  -
• уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
  35000pF @ 10V
• магутнасць - макс
  1875W
• Працоўная тэмпература
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• тып мантажу
  Chassis Mount
• пакет / чахол
  Module
• пакет прылады пастаўшчыка
  Module