UPA2800T1L-E1-AY

UPA2800T1L-E1-AY

Вытворца

Rochester Electronics

Катэгорыя прадукту

транзістары - феты, мосфеты - адзінкавыя

Апісанне

MOSFET N-CH 30V 17A 8DFN

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    -
  • пакет
    Bulk
  • статус часткі
    Obsolete
  • фет тыпу
    N-Channel
  • тэхналогіі
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
    30 V
  • ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
    17A (Ta)
  • напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
    -
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    7.3mOhm @ 17A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    2.5V @ 1mA
  • зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
    17 nC @ 5 V
  • vgs (макс.)
    -
  • уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
    1.77 pF @ 15 V
  • асаблівасць fet
    -
  • рассейваная магутнасць (макс.)
    -
  • Працоўная тэмпература
    -
  • тып мантажу
    Surface Mount
  • пакет прылады пастаўшчыка
    8-DFN3333 (3.3x3.3)
  • пакет / чахол
    8-VDFN Exposed Pad

UPA2800T1L-E1-AY Запытаць прапанову

У наяўнасці 39347
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
0.52000
Мэтавая цана:
Усяго:0.52000