Тэхнічныя характарыстыкі

• серыял
  -
• пакет
  Bulk
• статус часткі
  Active
• фет тыпу
  P-Channel
• тэхналогіі
  MOSFET (Metal Oxide)
• напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
  40 V
• ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
  10A (Ta)
• напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
  1.8V, 4.5V
• rds на (макс.) @ id, vgs
  112mOhm @ 5A, 4.5V
• vgs(th) (макс.) @ id
  -
• зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
  8 nC @ 4.5 V
• vgs (макс.)
  ±10V
• уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
  650 pF @ 20 V
• асаблівасць fet
  -
• рассейваная магутнасць (макс.)
  1W (Ta), 15W (Tc)
• Працоўная тэмпература
  150°C (TJ)
• тып мантажу
  Through Hole
• пакет прылады пастаўшчыка
  IPAK/TP
• пакет / чахол
  TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA