Тэхнічныя характарыстыкі

• серыял
  -
• пакет
  Bulk
• статус часткі
  Obsolete
• фет тыпу
  N-Channel
• тэхналогіі
  MOSFET (Metal Oxide)
• напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
  30 V
• ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
  14A (Ta)
• напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
  -
• rds на (макс.) @ id, vgs
  11.6mOhm @ 7A, 10V
• vgs(th) (макс.) @ id
  -
• зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
  5.7 nC @ 4.5 V
• vgs (макс.)
  -
• уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
  1.05 pF @ 10 V
• асаблівасць fet
  -
• рассейваная магутнасць (макс.)
  10W (Tc)
• Працоўная тэмпература
  150°C (TJ)
• тып мантажу
  Surface Mount
• пакет прылады пастаўшчыка
  8-HWSON (3.3x3.3)
• пакет / чахол
  8-PowerWDFN