Тэхнічныя характарыстыкі

• серыял
  TrenchMOS™
• пакет
  Bulk
• статус часткі
  Not For New Designs
• фет тыпу
  N-Channel
• тэхналогіі
  MOSFET (Metal Oxide)
• напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
  20 V
• ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
  6.3A (Tc)
• напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
  1.8V, 4.5V
• rds на (макс.) @ id, vgs
  28mOhm @ 2A, 4.5V
• vgs(th) (макс.) @ id
  700mV @ 1mA
• зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
  10.6 nC @ 4.5 V
• vgs (макс.)
  ±8V
• уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
  740 pF @ 10 V
• асаблівасць fet
  -
• рассейваная магутнасць (макс.)
  1.75W (Tc)
• Працоўная тэмпература
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• тып мантажу
  Surface Mount
• пакет прылады пастаўшчыка
  6-TSOP
• пакет / чахол
  SC-74, SOT-457