Тэхнічныя характарыстыкі

• серыял
  -
• пакет
  Bulk
• статус часткі
  Obsolete
• фет тыпу
  P-Channel
• тэхналогіі
  MOSFET (Metal Oxide)
• напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
  20 V
• ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
  3.5A (Ta)
• напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
  1.5V, 4.5V
• rds на (макс.) @ id, vgs
  40mOhm @ 3A, 4.5V
• vgs(th) (макс.) @ id
  1V @ 250µA
• зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
  15.7 nC @ 4.5 V
• vgs (макс.)
  ±8V
• уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
  1.329 pF @ 16 V
• асаблівасць fet
  -
• рассейваная магутнасць (макс.)
  700mW (Ta)
• Працоўная тэмпература
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• тып мантажу
  Surface Mount
• пакет прылады пастаўшчыка
  6-WDFN (2x2)
• пакет / чахол
  6-WDFN Exposed Pad