Тэхнічныя характарыстыкі

• серыял
  -
• пакет
  Bulk
• статус часткі
  Obsolete
• фет тыпу
  P-Channel
• тэхналогіі
  MOSFET (Metal Oxide)
• напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
  8 V
• ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
  5.4A (Tj)
• напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
  1.8V, 4.5V
• rds на (макс.) @ id, vgs
  25mOhm @ 5.4A, 4.5V
• vgs(th) (макс.) @ id
  1.5V @ 250µA
• зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
  30 nC @ 4.5 V
• vgs (макс.)
  ±8V
• уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
  2.4 pF @ 6.4 V
• асаблівасць fet
  -
• рассейваная магутнасць (макс.)
  1.3W (Ta)
• Працоўная тэмпература
  -
• тып мантажу
  Surface Mount
• пакет прылады пастаўшчыка
  ChipFET™
• пакет / чахол
  8-SMD, Flat Lead