NGTB75N60SWG

NGTB75N60SWG

Вытворца

Rochester Electronics

Катэгорыя прадукту

транзістары - igbts - адзінкавыя

Апісанне

IGBT

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    -
  • пакет
    Tube
  • статус часткі
    Obsolete
  • тып igbt
    -
  • напружанне - прабой эмітэра калектара (макс.)
    600 V
  • ток - калектар (ic) (макс.)
    100 A
  • ток - калектар імпульсны (icm)
    200 A
  • vce(on) (макс.) @ vge, ic
    2V @ 15V, 75A
  • магутнасць - макс
    595 W
  • пераключэнне энергіі
    1.5mJ (on), 1mJ (off)
  • тып уводу
    Standard
  • зарад варот
    310 nC
  • td (укл./выкл.) пры 25°c
    110ns/270ns
  • стан выпрабаванняў
    400V, 75A, 10Ohm, 15V
  • час зваротнага аднаўлення (trr)
    80 ns
  • Працоўная тэмпература
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • тып мантажу
    Through Hole
  • пакет / чахол
    TO-247-3
  • пакет прылады пастаўшчыка
    TO-247-3

NGTB75N60SWG Запытаць прапанову

У наяўнасці 9653
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
3.46000
Мэтавая цана:
Усяго:3.46000

Тэхнічны ліст