NDD03N80Z-1G

NDD03N80Z-1G

Вытворца

Rochester Electronics

Катэгорыя прадукту

транзістары - феты, мосфеты - адзінкавыя

Апісанне

MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    -
  • пакет
    Tube
  • статус часткі
    Obsolete
  • фет тыпу
    N-Channel
  • тэхналогіі
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
    800 V
  • ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
    2.9A (Tc)
  • напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
    10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    4.5Ohm @ 1.2A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    4.5V @ 50µA
  • зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
    17 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±30V
  • уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
    440 pF @ 25 V
  • асаблівасць fet
    -
  • рассейваная магутнасць (макс.)
    96W (Tc)
  • Працоўная тэмпература
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тып мантажу
    Through Hole
  • пакет прылады пастаўшчыка
    I-PAK
  • пакет / чахол
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

NDD03N80Z-1G Запытаць прапанову

У наяўнасці 25865
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
0.40000
Мэтавая цана:
Усяго:0.40000

Тэхнічны ліст