Тэхнічныя характарыстыкі

• серыял
  HEXFET®
• пакет
  Bulk
• статус часткі
  Active
• фет тыпу
  N-Channel
• тэхналогіі
  MOSFET (Metal Oxide)
• напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
  25 V
• ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
  28A (Ta), 125A (Tc)
• напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
  4.5V, 10V
• rds на (макс.) @ id, vgs
  1.7mOhm @ 28A, 10V
• vgs(th) (макс.) @ id
  2.1V @ 50µA
• зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
  25 nC @ 4.5 V
• vgs (макс.)
  ±16V
• уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
  2.51 pF @ 13 V
• асаблівасць fet
  -
• рассейваная магутнасць (макс.)
  2.1W (Ta), 42W (Tc)
• Працоўная тэмпература
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• тып мантажу
  Surface Mount
• пакет прылады пастаўшчыка
  DIRECTFET™ S3C
• пакет / чахол
  DirectFET™ Isometric S3C