IPB50CN10NGATMA1

IPB50CN10NGATMA1

Вытворца

Rochester Electronics

Катэгорыя прадукту

транзістары - феты, мосфеты - адзінкавыя

Апісанне

MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    OptiMOS™
  • пакет
    Bulk
  • статус часткі
    Obsolete
  • фет тыпу
    N-Channel
  • тэхналогіі
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
    100 V
  • ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
    20A (Tc)
  • напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
    10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    50mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    4V @ 20µA
  • зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
    16 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
    1.09 pF @ 50 V
  • асаблівасць fet
    -
  • рассейваная магутнасць (макс.)
    44W (Tc)
  • Працоўная тэмпература
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • тып мантажу
    Surface Mount
  • пакет прылады пастаўшчыка
    PG-TO263-3-2
  • пакет / чахол
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB50CN10NGATMA1 Запытаць прапанову

У наяўнасці 39279
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
0.52000
Мэтавая цана:
Усяго:0.52000

Тэхнічны ліст