HUF75309D3S

HUF75309D3S

Вытворца

Rochester Electronics

Катэгорыя прадукту

транзістары - феты, мосфеты - адзінкавыя

Апісанне

MOSFET N-CH 55V 19A DPAK

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    UltraFET™
  • пакет
    Tube
  • статус часткі
    Obsolete
  • фет тыпу
    N-Channel
  • тэхналогіі
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
    55 V
  • ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
    19A (Tc)
  • напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
    10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    70mOhm @ 19A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    4V @ 250µA
  • зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
    24 nC @ 20 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
    350 pF @ 25 V
  • асаблівасць fet
    -
  • рассейваная магутнасць (макс.)
    55W (Tc)
  • Працоўная тэмпература
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • тып мантажу
    Surface Mount
  • пакет прылады пастаўшчыка
    D-Pak
  • пакет / чахол
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

HUF75309D3S Запытаць прапанову

У наяўнасці 37970
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
0.27000
Мэтавая цана:
Усяго:0.27000

Тэхнічны ліст