Тэхнічныя характарыстыкі

• серыял
  NexFET™
• пакет
  Bulk
• статус часткі
  Active
• фет тыпу
  N-Channel
• тэхналогіі
  MOSFET (Metal Oxide)
• напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
  25 V
• ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
  22A (Ta), 113A (Tc)
• напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
  -
• rds на (макс.) @ id, vgs
  4.5mOhm @ 25A, 10V
• vgs(th) (макс.) @ id
  2.1V @ 250µA
• зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
  8.9 nC @ 4.5 V
• vgs (макс.)
  +16V, -12V
• уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
  1300 pF @ 12.5 V
• асаблівасць fet
  -
• рассейваная магутнасць (макс.)
  3.1W (Ta)
• Працоўная тэмпература
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• тып мантажу
  Surface Mount
• пакет прылады пастаўшчыка
  8-VSON-CLIP (5x6)
• пакет / чахол
  8-PowerTDFN