RM2N650IP

RM2N650IP

Вытворца

Rectron USA

Катэгорыя прадукту

транзістары - феты, мосфеты - адзінкавыя

Апісанне

MOSFET N-CHANNEL 650V 2A TO251

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    -
  • пакет
    Tube
  • статус часткі
    Active
  • фет тыпу
    N-Channel
  • тэхналогіі
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
    650 V
  • ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
    2A (Tc)
  • напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
    10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    2.5Ohm @ 1A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    3.5V @ 250µA
  • зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
    -
  • vgs (макс.)
    ±30V
  • уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
    190 pF @ 50 V
  • асаблівасць fet
    -
  • рассейваная магутнасць (макс.)
    23W (Tc)
  • Працоўная тэмпература
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тып мантажу
    Through Hole
  • пакет прылады пастаўшчыка
    TO-251
  • пакет / чахол
    TO-251-3 Stub Leads, IPak

RM2N650IP Запытаць прапанову

У наяўнасці 34140
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
0.30000
Мэтавая цана:
Усяго:0.30000