Тэхнічныя характарыстыкі

• серыял
  -
• пакет
  Bag
• статус часткі
  Active
• фет тыпу
  N-Channel
• тэхналогіі
  MOSFET (Metal Oxide)
• напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
  100 V
• ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
  20A
• напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
  5V
• rds на (макс.) @ id, vgs
  120mOhm @ 10A, 5V
• vgs(th) (макс.) @ id
  2.5V @ 250µA
• зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
  30 nC @ 5 V
• vgs (макс.)
  ±15V
• уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
  1500 pF @ 25 V
• асаблівасць fet
  Logic Level Gate, 4V Drive
• рассейваная магутнасць (макс.)
  105W (Tc)
• Працоўная тэмпература
  175°C (TJ)
• тып мантажу
  Through Hole
• пакет прылады пастаўшчыка
  TO-220
• пакет / чахол
  TO-220-3