Тэхнічныя характарыстыкі

• серыял
  -
• пакет
  Bulk
• статус часткі
  Active
• фет тыпу
  P-Channel
• тэхналогіі
  MOSFET (Metal Oxide)
• напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
  500 V
• ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
  54mA (Tj)
• напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
  5V, 10V
• rds на (макс.) @ id, vgs
  125Ohm @ 10mA, 10V
• vgs(th) (макс.) @ id
  4.5V @ 1mA
• зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
  -
• vgs (макс.)
  ±20V
• уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
  70 pF @ 25 V
• асаблівасць fet
  -
• рассейваная магутнасць (макс.)
  1W (Tc)
• Працоўная тэмпература
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• тып мантажу
  Through Hole
• пакет прылады пастаўшчыка
  TO-92-3
• пакет / чахол
  TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)