APT10035B2FLLG

APT10035B2FLLG

Вытворца

Roving Networks / Microchip Technology

Катэгорыя прадукту

транзістары - феты, мосфеты - адзінкавыя

Апісанне

MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    POWER MOS 7®
  • пакет
    Tube
  • статус часткі
    Active
  • фет тыпу
    N-Channel
  • тэхналогіі
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
    1000 V
  • ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
    28A (Tc)
  • напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
    10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    370mOhm @ 14A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    5V @ 2.5mA
  • зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
    186 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±30V
  • уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
    5185 pF @ 25 V
  • асаблівасць fet
    -
  • рассейваная магутнасць (макс.)
    690W (Tc)
  • Працоўная тэмпература
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тып мантажу
    Through Hole
  • пакет прылады пастаўшчыка
    T-MAX™ [B2]
  • пакет / чахол
    TO-247-3 Variant

APT10035B2FLLG Запытаць прапанову

У наяўнасці 2808
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
25.85000
Мэтавая цана:
Усяго:25.85000