Тэхнічныя характарыстыкі

• серыял
  BIMOSFET™
• пакет
  Tube
• статус часткі
  Not For New Designs
• тып igbt
  -
• напружанне - прабой эмітэра калектара (макс.)
  3600 V
• ток - калектар (ic) (макс.)
  70 A
• ток - калектар імпульсны (icm)
  220 A
• vce(on) (макс.) @ vge, ic
  3.4V @ 15V, 20A
• магутнасць - макс
  430 W
• пераключэнне энергіі
  15.5mJ (on), 4.3mJ (off)
• тып уводу
  Standard
• зарад варот
  110 nC
• td (укл./выкл.) пры 25°c
  18ns/238ns
• стан выпрабаванняў
  1500V, 20A, 10Ohm, 15V
• час зваротнага аднаўлення (trr)
  1.7 µs
• Працоўная тэмпература
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• тып мантажу
  Surface Mount
• пакет / чахол
  TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• пакет прылады пастаўшчыка
  TO-268