Тэхнічныя характарыстыкі

• серыял
  BIMOSFET™
• пакет
  Tube
• статус часткі
  Not For New Designs
• тып igbt
  -
• напружанне - прабой эмітэра калектара (макс.)
  3600 V
• ток - калектар (ic) (макс.)
  70 A
• ток - калектар імпульсны (icm)
  420 A
• vce(on) (макс.) @ vge, ic
  2.9V @ 15V, 50A
• магутнасць - макс
  290 W
• пераключэнне энергіі
  -
• тып уводу
  Standard
• зарад варот
  210 nC
• td (укл./выкл.) пры 25°c
  46ns/205ns
• стан выпрабаванняў
  960V, 50A, 5Ohm, 15V
• час зваротнага аднаўлення (trr)
  1.7 µs
• Працоўная тэмпература
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• тып мантажу
  Through Hole
• пакет / чахол
  i4-Pac™-5 (3 Leads)
• пакет прылады пастаўшчыка
  ISOPLUS i4-PAC™