Тэхнічныя характарыстыкі

• серыял
  BIMOSFET™
• пакет
  Tube
• статус часткі
  Active
• тып igbt
  NPT
• напружанне - прабой эмітэра калектара (макс.)
  3000 V
• ток - калектар (ic) (макс.)
  38 A
• ток - калектар імпульсны (icm)
  120 A
• vce(on) (макс.) @ vge, ic
  2.7V @ 15V, 14A
• магутнасць - макс
  200 W
• пераключэнне энергіі
  -
• тып уводу
  Standard
• зарад варот
  62 nC
• td (укл./выкл.) пры 25°c
  40ns/166ns
• стан выпрабаванняў
  960V, 14A, 20Ohm, 15V
• час зваротнага аднаўлення (trr)
  1.4 µs
• Працоўная тэмпература
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• тып мантажу
  Surface Mount
• пакет / чахол
  TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• пакет прылады пастаўшчыка
  TO-263