-
-
Нізкая цана праз Factory-Direct
Працуйце непасрэдна з фабрыкай электронікі, каб пазбавіцца ад пасярэднікаў. Новы арыгінал па нізкай і зніжанай цане
-
Бяспечная і якасная надзейнасць
Сістэма страхавання якасці для цудоўнай якасці прадукцыі. Своечасовае, кожны раз прадастаўленне якасных кампанентаў.
-
Больш за 15 мільёнаў запасаў
Больш за 100 найбуйнейшых сусветных вытворцаў, больш за 15 мільёнаў запасаў. Даступныя запасы, якія можна набыць непасрэдна са зніжкай.
-
Дружалюбнае абслугоўванне кліентаў
Універсальнае рашэнне, адаптаванае да вашых унікальных патрабаванняў. Падтрымка вэб-сайта на 12 мовах, больш зручнасці і хуткасці паслуг.
IGN1011L1200
Вытворца
Катэгорыя прадукту
транзістары - феты, мосфеты - вч
Апісанне
GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн
Тэхнічныя характарыстыкі
-
серыял*
-
пакетTray
-
статус часткіActive
-
транзістарнага тыпу-
-
частата-
-
атрымаць-
-
напружанне - тэст-
-
намінальны ток (ампер)-
-
паказчык шуму-
-
ток - тэст-
-
магутнасць - выхад-
-
напружанне - намінальнае-
-
пакет / чахол-
-
пакет прылады пастаўшчыка-
