IRF8313TRPBF

IRF8313TRPBF

Вытворца

IR (Infineon Technologies)

Катэгорыя прадукту

транзістары - феты, мосфеты - масівы

Апісанне

MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    HEXFET®
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • статус часткі
    Not For New Designs
  • фет тыпу
    2 N-Channel (Dual)
  • асаблівасць fet
    Logic Level Gate
  • напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
    30V
  • ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
    9.7A
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    15.5mOhm @ 9.7A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    2.35V @ 25µA
  • зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
    9nC @ 4.5V
  • уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
    760pF @ 15V
  • магутнасць - макс
    2W
  • Працоўная тэмпература
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • тып мантажу
    Surface Mount
  • пакет / чахол
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • пакет прылады пастаўшчыка
    8-SO

IRF8313TRPBF Запытаць прапанову

У наяўнасці 29071
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
0.71000
Мэтавая цана:
Усяго:0.71000

Тэхнічны ліст