Тэхнічныя характарыстыкі

• серыял
  HEXFET®
• пакет
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• статус часткі
  Obsolete
• фет тыпу
  P-Channel
• тэхналогіі
  MOSFET (Metal Oxide)
• напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
  30 V
• ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
  3.6A (Ta)
• напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
  4.5V, 10V
• rds на (макс.) @ id, vgs
  90mOhm @ 2.4A, 10V
• vgs(th) (макс.) @ id
  1V @ 250µA
• зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
  30 nC @ 10 V
• vgs (макс.)
  ±20V
• уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
  520 pF @ 25 V
• асаблівасць fet
  -
• рассейваная магутнасць (макс.)
  1.8W (Ta)
• Працоўная тэмпература
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• тып мантажу
  Surface Mount
• пакет прылады пастаўшчыка
  Micro8™
• пакет / чахол
  8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)