IRF7301TRPBF

IRF7301TRPBF

Вытворца

IR (Infineon Technologies)

Катэгорыя прадукту

транзістары - феты, мосфеты - масівы

Апісанне

MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    HEXFET®
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • статус часткі
    Active
  • фет тыпу
    2 N-Channel (Dual)
  • асаблівасць fet
    Logic Level Gate
  • напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
    20V
  • ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
    5.2A
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    50mOhm @ 2.6A, 4.5V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    700mV @ 250µA
  • зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
    20nC @ 4.5V
  • уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
    660pF @ 15V
  • магутнасць - макс
    2W
  • Працоўная тэмпература
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тып мантажу
    Surface Mount
  • пакет / чахол
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • пакет прылады пастаўшчыка
    8-SO

IRF7301TRPBF Запытаць прапанову

У наяўнасці 23285
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
0.89000
Мэтавая цана:
Усяго:0.89000

Тэхнічны ліст