IRF3205ZLPBF

IRF3205ZLPBF

Вытворца

IR (Infineon Technologies)

Катэгорыя прадукту

транзістары - феты, мосфеты - адзінкавыя

Апісанне

MOSFET N-CH 55V 75A TO262

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    HEXFET®
  • пакет
    Tube
  • статус часткі
    Active
  • фет тыпу
    N-Channel
  • тэхналогіі
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
    55 V
  • ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
    75A (Tc)
  • напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
    10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    6.5mOhm @ 66A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    4V @ 250µA
  • зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
    110 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
    3450 pF @ 25 V
  • асаблівасць fet
    -
  • рассейваная магутнасць (макс.)
    170W (Tc)
  • Працоўная тэмпература
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • тып мантажу
    Through Hole
  • пакет прылады пастаўшчыка
    TO-262
  • пакет / чахол
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

IRF3205ZLPBF Запытаць прапанову

У наяўнасці 13112
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
1.64000
Мэтавая цана:
Усяго:1.64000

Тэхнічны ліст