IPW65R110CFDAFKSA1

IPW65R110CFDAFKSA1

Вытворца

IR (Infineon Technologies)

Катэгорыя прадукту

транзістары - феты, мосфеты - адзінкавыя

Апісанне

MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
  • пакет
    Tube
  • статус часткі
    Active
  • фет тыпу
    N-Channel
  • тэхналогіі
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
    650 V
  • ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
    31.2A (Tc)
  • напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
    10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    110mOhm @ 12.7A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    4.5V @ 1.3mA
  • зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
    118 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
    3240 pF @ 100 V
  • асаблівасць fet
    -
  • рассейваная магутнасць (макс.)
    277.8W (Tc)
  • Працоўная тэмпература
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • тып мантажу
    Through Hole
  • пакет прылады пастаўшчыка
    PG-TO247-3
  • пакет / чахол
    TO-247-3

IPW65R110CFDAFKSA1 Запытаць прапанову

У наяўнасці 7169
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
7.93000
Мэтавая цана:
Усяго:7.93000

Тэхнічны ліст