IPT60R050G7XTMA1

IPT60R050G7XTMA1

Вытворца

IR (Infineon Technologies)

Катэгорыя прадукту

транзістары - феты, мосфеты - адзінкавыя

Апісанне

MOSFET N-CH 650V 44A 8HSOF

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    CoolMOS™ G7
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • статус часткі
    Active
  • фет тыпу
    N-Channel
  • тэхналогіі
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
    650 V
  • ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
    44A (Tc)
  • напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
    10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    50mOhm @ 15.9A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    4V @ 800µA
  • зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
    68 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
    2670 pF @ 400 V
  • асаблівасць fet
    -
  • рассейваная магутнасць (макс.)
    245W (Tc)
  • Працоўная тэмпература
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тып мантажу
    Surface Mount
  • пакет прылады пастаўшчыка
    PG-HSOF-8-2
  • пакет / чахол
    8-PowerSFN

IPT60R050G7XTMA1 Запытаць прапанову

У наяўнасці 5618
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
10.62000
Мэтавая цана:
Усяго:10.62000

Тэхнічны ліст