IPP072N10N3GXKSA1

IPP072N10N3GXKSA1

Вытворца

IR (Infineon Technologies)

Катэгорыя прадукту

транзістары - феты, мосфеты - адзінкавыя

Апісанне

MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    OptiMOS™
  • пакет
    Tube
  • статус часткі
    Active
  • фет тыпу
    N-Channel
  • тэхналогіі
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
    100 V
  • ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
    80A (Tc)
  • напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
    6V, 10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    7.2mOhm @ 80A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    3.5V @ 90µA
  • зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
    68 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
    4910 pF @ 50 V
  • асаблівасць fet
    -
  • рассейваная магутнасць (макс.)
    150W (Tc)
  • Працоўная тэмпература
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • тып мантажу
    Through Hole
  • пакет прылады пастаўшчыка
    PG-TO220-3
  • пакет / чахол
    TO-220-3

IPP072N10N3GXKSA1 Запытаць прапанову

У наяўнасці 11200
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
1.95000
Мэтавая цана:
Усяго:1.95000

Тэхнічны ліст