IPD35N10S3L26ATMA1

IPD35N10S3L26ATMA1

Вытворца

IR (Infineon Technologies)

Катэгорыя прадукту

транзістары - феты, мосфеты - адзінкавыя

Апісанне

MOSFET N-CH 100V 35A TO252-31

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    OptiMOS™
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • статус часткі
    Active
  • фет тыпу
    N-Channel
  • тэхналогіі
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
    100 V
  • ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
    35A (Tc)
  • напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
    4.5V, 10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    24mOhm @ 35A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    2.4V @ 39µA
  • зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
    39 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
    2700 pF @ 25 V
  • асаблівасць fet
    -
  • рассейваная магутнасць (макс.)
    71W (Tc)
  • Працоўная тэмпература
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • тып мантажу
    Surface Mount
  • пакет прылады пастаўшчыка
    PG-TO252-3-11
  • пакет / чахол
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD35N10S3L26ATMA1 Запытаць прапанову

У наяўнасці 16433
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
1.28000
Мэтавая цана:
Усяго:1.28000

Тэхнічны ліст