Тэхнічныя характарыстыкі

• серыял
  SIPMOS®
• пакет
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• статус часткі
  Active
• фет тыпу
  P-Channel
• тэхналогіі
  MOSFET (Metal Oxide)
• напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
  60 V
• ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
  150mA (Ta)
• напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
  4.5V, 10V
• rds на (макс.) @ id, vgs
  8Ohm @ 150mA, 10V
• vgs(th) (макс.) @ id
  2V @ 20µA
• зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
  1.5 nC @ 10 V
• vgs (макс.)
  ±20V
• уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
  19.1 pF @ 25 V
• асаблівасць fet
  -
• рассейваная магутнасць (макс.)
  300mW (Ta)
• Працоўная тэмпература
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• тып мантажу
  Surface Mount
• пакет прылады пастаўшчыка
  PG-SOT323-3
• пакет / чахол
  SC-70, SOT-323