DMTH8012LK3Q-13

DMTH8012LK3Q-13

Вытворца

Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)

Катэгорыя прадукту

транзістары - феты, мосфеты - адзінкавыя

Апісанне

MOSFET N-CH 80V 50A TO252

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    Automotive, AEC-Q101
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • статус часткі
    Active
  • фет тыпу
    N-Channel
  • тэхналогіі
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
    80 V
  • ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
    50A (Tc)
  • напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
    4.5V, 10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    16mOhm @ 12A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    3V @ 250µA
  • зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
    46.8 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
    2051 pF @ 40 V
  • асаблівасць fet
    -
  • рассейваная магутнасць (макс.)
    2.6W (Ta)
  • Працоўная тэмпература
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • тып мантажу
    Surface Mount
  • пакет прылады пастаўшчыка
    TO-252-3
  • пакет / чахол
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

DMTH8012LK3Q-13 Запытаць прапанову

У наяўнасці 17754
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
1.18000
Мэтавая цана:
Усяго:1.18000

Тэхнічны ліст