DDTD113ZC-7-F

DDTD113ZC-7-F

Вытворца

Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)

Катэгорыя прадукту

транзістары - біпалярныя (bjt) - адзінкавыя, папярэдне змешчаныя

Апісанне

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    -
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • статус часткі
    Active
  • транзістарнага тыпу
    NPN - Pre-Biased
  • ток - калектар (ic) (макс.)
    500 mA
  • напружанне - прабой эмітэра калектара (макс.)
    50 V
  • рэзістар - база (r1)
    1 kOhms
  • рэзістар - база эмітэра (r2)
    10 kOhms
  • узмацненне пастаяннага току (hfe) (мін) @ ic, vce
    56 @ 50mA, 5V
  • насычэнне vce (макс.) @ ib, ic
    300mV @ 2.5mA, 50mA
  • ток - адсечка калектара (макс.)
    500nA
  • частата - пераход
    200 MHz
  • магутнасць - макс
    200 mW
  • тып мантажу
    Surface Mount
  • пакет / чахол
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • пакет прылады пастаўшчыка
    SOT-23-3

DDTD113ZC-7-F Запытаць прапанову

У наяўнасці 33143
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
0.31000
Мэтавая цана:
Усяго:0.31000

Тэхнічны ліст

Спампаваць