Тэхнічныя характарыстыкі

• серыял
  Z-FET™
• пакет
  Bulk
• статус часткі
  Active
• фет тыпу
  2 N-Channel (Half Bridge)
• асаблівасць fet
  Silicon Carbide (SiC)
• напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
  1200V (1.2kV)
• ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
  423A (Tc)
• rds на (макс.) @ id, vgs
  5.7mOhm @ 300A, 20V
• vgs(th) (макс.) @ id
  2.3V @ 15mA (Typ)
• зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
  1025nC @ 20V
• уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
  11700pF @ 600V
• магутнасць - макс
  1660W
• Працоўная тэмпература
  150°C (TJ)
• тып мантажу
  Chassis Mount
• пакет / чахол
  Module, Screw Terminals
• пакет прылады пастаўшчыка
  Module