Тэхнічныя характарыстыкі

• серыял
  -
• пакет
  Box
• статус часткі
  Active
• фет тыпу
  2 N-Channel (Dual)
• асаблівасць fet
  Silicon Carbide (SiC)
• напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
  1200V
• ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
  395A (Tc)
• rds на (макс.) @ id, vgs
  5.3mOhm @ 400A, 15V
• vgs(th) (макс.) @ id
  3.6V @ 92mA
• зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
  908nC @ 15V
• уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
  2450pF @ 800V
• магутнасць - макс
  -
• Працоўная тэмпература
  -40°C ~ 175°C (TJ)
• тып мантажу
  Chassis Mount
• пакет / чахол
  Module
• пакет прылады пастаўшчыка
  -