Тэхнічныя характарыстыкі

• серыял
  C3M™
• пакет
  Tube
• статус часткі
  Active
• фет тыпу
  N-Channel
• тэхналогіі
  SiCFET (Silicon Carbide)
• напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
  1200 V
• ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
  7.2A (Tc)
• напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
  15V
• rds на (макс.) @ id, vgs
  455mOhm @ 3.6A, 15V
• vgs(th) (макс.) @ id
  3.6V @ 1mA
• зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
  13 nC @ 15 V
• vgs (макс.)
  +15V, -4V
• уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
  345 pF @ 1000 V
• асаблівасць fet
  -
• рассейваная магутнасць (макс.)
  40.8W (Tc)
• Працоўная тэмпература
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• тып мантажу
  Surface Mount
• пакет прылады пастаўшчыка
  TO-263-7
• пакет / чахол
  TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA