Тэхнічныя характарыстыкі

• серыял
  C2M™
• пакет
  Tube
• статус часткі
  Not For New Designs
• фет тыпу
  N-Channel
• тэхналогіі
  SiCFET (Silicon Carbide)
• напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
  1700 V
• ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
  72A (Tc)
• напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана)
  20V
• rds на (макс.) @ id, vgs
  59mOhm @ 50A, 20V
• vgs(th) (макс.) @ id
  4V @ 18mA
• зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
  188 nC @ 20 V
• vgs (макс.)
  +25V, -10V
• уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
  3672 pF @ 1000 V
• асаблівасць fet
  -
• рассейваная магутнасць (макс.)
  520W (Tc)
• Працоўная тэмпература
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• тып мантажу
  Through Hole
• пакет прылады пастаўшчыка
  TO-247-4
• пакет / чахол
  TO-247-4