SQJB60EP-T1_GE3

SQJB60EP-T1_GE3

Вытворца

Vishay / Siliconix

Катэгорыя прадукту

транзістары - феты, мосфеты - масівы

Апісанне

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Электронны ліст для запыту прапаноў: [email protected] or Запыты онлайн

Тэхнічныя характарыстыкі

  • серыял
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • статус часткі
    Active
  • фет тыпу
    2 N-Channel (Dual)
  • асаблівасць fet
    Standard
  • напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss)
    60V
  • ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c
    30A (Tc)
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    12mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    2.5V @ 250µA
  • зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs
    30nC @ 10V
  • уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds
    1600pF @ 25V
  • магутнасць - макс
    48W
  • Працоўная тэмпература
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • тып мантажу
    Surface Mount
  • пакет / чахол
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • пакет прылады пастаўшчыка
    PowerPAK® SO-8 Dual

SQJB60EP-T1_GE3 Запытаць прапанову

У наяўнасці 18657
Колькасць:
Цана за адзінку (Даведачная цана):
1.13000
Мэтавая цана:
Усяго:1.13000

Тэхнічны ліст